低維材料器件研發工程師

☆☆☆本崗位具體薪資面議☆☆☆

任職要求：

1、已獲得或即將獲得博士學位（材料科學與工程、微電子學與固體電子學、凝聚態物理、納米科學與技術等相關專業），博士期間研究方向聚焦碳納米管器件（或低維材料界面物理/化學）、半導體器件等領域。
2、具備扎實的碳納米管基礎理論知識，深入理解碳納米管的電學、力學、化學特性，明確碳納米管器件接觸/柵極界面的核心科學問題。
3、有相關科研經驗優先：參與過碳納米管/低維器件制備、界面調控、性能優化相關課題，熟練掌握器件光刻、ALD、退火等制備工藝，具備獨立設計實驗、解決實驗難題的能力。
4、熟練掌握至少1-2種界面表征技術（如電導、脈沖、charge pumping、1/f、BTI等）和電學測試方法，能獨立完成實驗數據處理、分析及論文撰寫。
5、具備良好的英文讀寫與學術表達能力，博士期間以第一作者（或通訊作者）發表過至少1篇SCI論文（與碳納米管、低維材料器件界面相關優先），有發明專利申請經驗者加分 。

☆☆☆優先條件（滿足其一即可）☆☆☆

①博士期間專注于碳納米管器件接觸電阻調控、柵極界面改性相關研究，有明確的原創性研究成果。
②熟悉二維材料與碳納米管異質界面構建，或具備器件封裝、長期穩定性測試相關經驗。
③有國家級科研項目參與經歷，或具備跨學科（材料+電子+物理）研究背景。