1、設備操作與工藝優化
（1）主導電子束曝光機（如 JEOL JBX 系列、NuFlare EBM）的日常操作、參數調試及量產導入，確保設備稼動率≥95%；

（2）優化曝光工藝（如劑量控制、掃描速度），提升 CD（關鍵尺寸）均勻性至 ±2nm 以內，降低 OVL（套刻偏差）至 ±3nm；

（3）參與光罩研發，解決工藝窗口窄、缺陷容忍度低等技術難點，良率提升目標≥10%；

2、技術研發與問題解決

（1）開發多電子束曝光（MEB）、納米壓印光刻（NIL）等先進技術，制定工藝驗證方案并推動量產。

（2）分析曝光異常（如 Pattern 畸變、缺陷），運用魚骨圖、5Why 等方法定位根源，輸出改進報告并跟蹤閉環；

（3）與 OPC（光學鄰近修正）團隊協作，優化版圖數據與曝光參數的匹配性，減少光刻誤差；

3、數據管理與跨部門協作

（1）實時監控曝光數據（如電流、劑量），利用 Python/Excel 進行統計分析，生成 SPC（統計過程控制）報告；

（2）協調設備維護、工藝整合、質量檢測等部門，推動產線效率提升及良率優化；

（3）參與客戶認證（如 HT-PSM、HM-PSM 光罩），提供技術文檔及工藝參數支持。


任職要求：

1、碩士及以上學歷，微電子、物理、材料科學等相關專業優先；

2、 熟悉電子束曝光機操作及工藝調試，掌握 ebview、CATS 等軟件工具；

3、了解半導體材料（光刻膠、石英基底）及潔凈室管理規范，能適應倒班及無塵室環境；

4、具備 EUV 光罩、相移光罩（PSM）等先進技術知識，或參與過 OPC、MPC項目者優先；

5、具備較強的問題解決能力與跨部門溝通能力，能獨立制定實驗方案并推動執行；

6、通過CET6，熟練使用英語閱讀技術文檔，具備基礎口語溝通能力。