崗位職責：
1. 負責半導體CMP（化學機械平坦化）工藝的開發、調試及優化，涵蓋銅（Cu）、鎳（Ni）、金（Au）、鈀合金、氧化物（Oxide）等材料的拋光工藝，重點關注工藝穩定性與良率提升；
2. 設計并執行DOE實驗，優化拋光壓力、轉速、流量等參數，在保障拋光均勻性、缺陷控制的前提下，提升拋光速率；
3. 評估、引入新型拋光液（Slurry）、拋光墊等耗材，從成本與性能維度進行綜合把控，降低工藝成本；
4. 與研發團隊深度協作，為新產品CMP工藝開發提供技術支持，制定可行的工藝解決方案；
5. 編寫、更新CMP工藝文件，確保操作完全遵循最新行業標準與內部規范，同時負責工藝文件的宣貫與培訓；
6. 密切跟蹤CMP技術發展趨勢，對新技術在現有工藝中的應用可行性進行評估，并提出針對性改進建議。
任職要求：
1. 本科及以上學歷，材料科學、化學工程、微電子、物理等相關專業。
2. 熟悉CMP工藝原理及半導體制造流程，了解Preston方程、拋光機理等。
3. 掌握DOE設計、SPC數據分析方法，熟練使用分析軟件。
4. 具備拋光液/墊評估經驗，能獨立操作CMP設備及量測工具（橢偏儀、AFM等）。
5. 邏輯清晰，具備問題分析與解決能力（如8D、RCA），良好的團隊協作與跨部門溝通能力。
6. 3年以上半導體CMP工藝經驗，有MEMS探針制造行業經驗者優先。
7. 具備CMP厚度控制±0.5-1um經驗者優先。